9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SP8M7TB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SP8M7TB价格参考1.09美元。Rohm Semiconductor SP8M7TB封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC。您可以下载SP8M7TB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SP8M70TB1是MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC，包括SP8M70系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，该封装盒具有Si等技术特性，其工作温度范围为150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作8-SOP供应商设备包。此外，FET类型为N和P通道，该器件提供650mW最大功率，该器件具有250V漏极到源极电压Vdss，输入电容Cis-Vds为180pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为3A、2.5A，最大Id Vgs上的Rds为1.63 Ohm@1.5A、10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为5.2nC@10V。
SP8M7FU6TB是MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于8-SOP供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于51 mOhm@5A，10V，提供2W等功率最大功能，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供230pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有5.5nC@5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为5A、7A。
SP8M70TB是ROHM制造的MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC。SP8M70TB采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC。
