9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SP8M8TB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SP8M8TB参考价格为1.238美元。Rohm Semiconductor SP8M8TB封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC。您可以下载SP8M8TB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SP8M8FU6TB是MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于851 mg单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），该技术设计用于硅，其工作温度范围为150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-SOP供应商设备包中提供，该设备具有双双漏极配置，FET类型为N和P信道，最大功率为2W，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为520pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，4.5A，最大Id Vgs的Rds为30 mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为10.1nC@5V，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns 25 ns，上升时间为21 ns 25 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6A4.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为36ns 60ns，典型接通延迟时间为9ns 10ns，沟道模式为增强。
SP8M8FD5-TB1，带有ROHM制造的用户指南。SP8M8FD5-TB1在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SP8M8FTB，电路图由ROHM制造。SP8M8FTB采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
