来自国际整流器公司的新型沟槽HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的加固器件设计相结合,为设计者提供了一种适用于各种应用的极其高效和可靠的器件。
● 沟槽技术
● 超低导通电阻
● 双N沟道MOSFET
● 非常小的SOIC封装
● 薄型(<1.1mm)
● 提供磁带和卷轴
特色
- 符合RoHS
- 快速切换
- 薄型(小于1.1mm)
- 双N沟道MOSFET
起订量: 1
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来自国际整流器公司的新型沟槽HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的加固器件设计相结合,为设计者提供了一种适用于各种应用的极其高效和可靠的器件。
● 沟槽技术
● 超低导通电阻
● 双N沟道MOSFET
● 非常小的SOIC封装
● 薄型(<1.1mm)
● 提供磁带和卷轴
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。