9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7350PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7350PBF价格参考2.53美元。Infineon Technologies IRF7350PBF封装/规格：MOSFET N/P-CH 100V 8SOIC。您可以下载IRF7350PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7343TRPBF是MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有8-SO供应商器件包，配置为1 N信道1 P信道，FET类型为N和P信道，功率最大值为2W，晶体管类型为1 N通道1 P信道和漏极到源极电压Vdss为55V，输入电容Ciss Vds为740pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.7A，3.4A，最大Id Vgs为50 mOhm@4.7A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为36nC@10V，Pd功耗为2 W，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为4.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极上源极电阻为65mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，Qg栅极电荷为24nC。
IRF734PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB。IRF734PB可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH450V 4.9A-TO-220AA、N沟道450V4.9A（Tc）74W（Tc）通孔TO-220AB、Trans-MOSFET N-CH 450 V 4.9A 3-Pin（3+Tab）TO-220A。
IRF7350带有由IR制造的电路图。IRF7350在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
