9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7910PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7910PBF参考价格为224.45美元。Infineon Technologies IRF7910PBF封装/规格：MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC。您可以下载IRF7910PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7907TRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT、，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为850pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为9.1A、11A，Rds On Max Id Vgs为16.4 mOhm@9.1A、10V，Vgs th Max Id为2.35V@25μA，栅极电荷Qg-Vgs为10nC@4.5V，Pd功耗为2.0W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为3.4 ns 5.3 ns，上升时间为9.3 ns 14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.1 A 11 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为1.8V，Rds漏极-源极电阻为17.1mOhms 11.5 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为8ns 13ns，典型的接通延迟时间为6ns 8ns，Qg栅极电荷为6.7nC 14nC，正向跨导最小值为19S 24S。
IRF7907TR，带有IOR制造的用户指南。IRF7907TR在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
IRF7910带有由IR制造的电路图。IRF7910在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
