9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7325TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7325TRPBF参考价格为0.82美元。Infineon Technologies IRF7325TRPBF封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC。您可以下载IRF7325TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7325TR是MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件封装，该器件也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，功率最大值为2W，器件提供12V漏极到源极电压Vdss，器件具有2020pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为7.8A，最大Id Vgs上的Rds为24mOhm@7.8A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为33nC@4.5V。
IRF7325是MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如24 mOhm@7.8A，4.5V，功率最大设计用于2W，以及管封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2020pF@10V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为33nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为7.8A。
IRF7325PBF是MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC，包括7.8A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在33nC@4.5V下工作，除了2020pF@10V输入电容Cis Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件有一个封装管，最大功率为2W，最大Id Vgs的Rds为24 mOhm@7.8A，4.5V，系列为HEXFET，供应商器件封装为8-SO，Vgs最大Id为900mV@250μa。
