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IRF7379QTRPBF是MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为2.5W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有520pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为5.8A、4.3A，Rds On Max Id Vgs为45mOhm@5.8A、10V，Vgs th Max Id为1V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V。
IRF7379TR是MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如45 mOhm@5.8A，10V，功率最大设计为2.5W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为520pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V，FET类型为N和P沟道，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为5.8A，4.3A。
7379qtrpbf型。电路图由IR制造。IRF7379QTRPBF。SOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
