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IRF7314PBF

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥1.66587
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 最大功率 2W
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 700mV @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.3A
  • 导通电阻 Rds(ON) 58毫欧姆 @ 2.9A, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29nC@4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 780皮法 @ 15V
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 色彩/颜色 -

IRF7314PBF 产品详情

国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极其高效和可靠的器件。
SO-8通过定制引线框架进行了修改,以增强热特性和多芯片能力,使其成为各种电源应用的理想选择。通过这些改进,可以在一个应用程序中使用多个设备,大大减少了板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术。

● 第五代技术
● 超低导通电阻
● 双P沟道MOSFET
● 表面贴装
● 完全雪崩等级

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • 动态dv/dt额定值
  • 快速切换
  • 双P沟道MOSFET
IRF7314PBF所属分类:场效应晶体管阵列,IRF7314PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7314PBF价格参考¥1.665867,你可以下载 IRF7314PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7314PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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