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IRF7341PBF

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 14

  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.52101
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.29
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 最大功率 2W
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.7A
  • 漏源电压标 (Vdss) 55V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
  • 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 4.7A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 740皮法 @ 25V
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 色彩/颜色 -

IRF7341PBF 产品详情

N沟道功率MOSFET 55V,英飞凌

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • 动态dv/dt额定值
  • 快速切换
  • 双N沟道MOSFET
IRF7341PBF所属分类:场效应晶体管阵列,IRF7341PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7341PBF价格参考¥1.521009,你可以下载 IRF7341PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7341PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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