福利
● 4.5V VGS时RDS极低（开启）
● 低栅极电荷
● 充分表征雪崩电压和电流
● 20V VGS最大门额定值
应用
● 用于桌面、服务器、图形卡、游戏机和机顶盒中的POL转换器的双SO-8 MOSFET
特色
- 符合RoHS
- 4.5V VGS时RDS低（ON）
- 极低栅极电荷
- 充分表征雪崩电压和电流
- 双N沟道MOSFET
IRF9910PBF
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A、12A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥3.18688
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.19
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规格参数
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 最大功率 2W
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 900皮法 @ 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V
- 部件状态 Digi-Key停产
- 导通电阻 Rds(ON) 13.4欧姆@10A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.55V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 10A、12A
IRF9910PBF 产品详情
IRF9910PBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
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 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF9910PBF所属分类：场效应晶体管阵列，IRF9910PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF9910PBF价格参考￥3.186876，你可以下载 IRF9910PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF9910PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
