9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHG21N80AEF-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHG21N80AEF-GE3参考价格$3.53000。Vishay Siliconix SIHG21N80AEF-GE3封装/规格：E系列快速功率MOSFET。您可以下载SIHG21N80AEF-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHG16N50C-E3是MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC，包括E系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为156 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为16 a，且Vds漏极-源极击穿电压为500V，且Vgs栅极-源极阈值电压为5V，且Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhms，且晶体管极性为N沟道，且典型关断延迟时间为29nS，且典型接通延迟时间为27nS，Qg栅极电荷为68nC，且正向跨导Min为3S。
SIHG20N50C-E3是MOSFET N-CH 500V 20A TO247，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为80 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有E系列，上升时间为27ns，Rds漏极-源极电阻为225mOhm，Qg栅极电荷为65nC，Pd功耗为292W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，并且Id连续漏极电流为20A，并且正向跨导Min为6.4S，并且下降时间为44ns。
带有电路图的SIHFU220-E3 SIHFU220-2E3以TO-251封装形式提供，是IC芯片的一部分。
SIHG20N50C是VISHYA制造的MOSFET N-CH 500V 20A TO247。SIHG20N50C在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 20A TO247。
