SIHA24N80AE-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 26.21929 | 26.21929 |
| 10+ | 23.55391 | 235.53911 |
| 100+ | 19.29581 | 1929.58100 |
| 500+ | 16.42617 | 8213.08650 |
| 1000+ | 14.84287 | 14842.87500 |
- 库存: 969
- 单价: ¥26.21930
-
数量:
- +
- 总计: ¥26.22
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 最大功耗 35W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9A（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 800 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 89 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 TO-220 Full Pack
- 导通电阻 Rds(ON) 184毫欧姆@10A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1836 pF @ 100 V
SIHA24N80AE-GE3 产品详情
Vishay Siliconix®在其标准to xxx系列中添加了一个新的封装，即Thin Lead to-220 FULLPAK。该封装将使用我们最新的E系列超结MOSFET产品系列。标准TO-220 FULLPAK和薄导线TO-220 FULLPAK之间的区别在于导线的宽度和厚度。Thin Lead TO-220 FULLPAK引线已缩小。由于引线的尺寸减小，它们可以完全插入到焊接孔中，然后封装的主体接触PCB，从而将组装的PCB板高度减小约2.4mm。
SIHA24N80AE-GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIHD6N80E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.15167 |
 | SIHA11N80E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥26.87116 |
 | SIHG30N60E-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.00429 |
 | SIHB33N60EF-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 278W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.32415 |
 | SIHP100N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.80794 |
 | SIHB100N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.4598 |
 | SIHF065N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.93159 |
 | SIHB21N65EF-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.53223 |
 | SIHP120N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 179W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.11166 |
 | SIHF12N50C-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.90838 |
SIHA24N80AE-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIHA24N80AE-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIHA24N80AE-GE3价格参考￥26.219298，你可以下载 SIHA24N80AE-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIHA24N80AE-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
