NTPF125N65S3H
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tj) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 26.72630 | 26.72630 |
10+ | 24.02469 | 240.24699 |
100+ | 19.68402 | 1968.40290 |
500+ | 16.75673 | 8378.36950 |
1000+ | 16.05932 | 16059.32000 |
- 库存: 1000
- 单价: ¥26.72630
-
数量:
- +
- 总计: ¥26.73
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 供应商设备包装 TO-220FP
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 44 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@12A,10V
- 最大功耗 37W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 24A(Tj)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 2.1毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2200 pF@400 V
NTPF125N65S3H所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTPF125N65S3H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTPF125N65S3H价格参考¥26.726301,你可以下载 NTPF125N65S3H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTPF125N65S3H规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
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