特色
- 2.8A，600V，RDS（开启）=2.5Ω（最大值）@VGS=10 V，ID=1.4A
- 低栅极电荷（典型值15nC）
- 低铬（典型值6.5pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- 照明
FQU5N60CTU
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、49W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.70063 | 1.70063 |
- 库存: 70
- 单价: ¥1.70063
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.70
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规格参数
- 高度（英寸） -
- 长（英寸） -
- 宽（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19 nC@10 V
- 供应商设备包装 I-PAK
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.8A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 670 pF @ 25 V
- 最大功耗 2.5W（Ta）、49W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 2.5欧姆@1.4A，10V
- 色彩/颜色 -
FQU5N60CTU 产品详情
该N沟道增强型功率MOSFET使用Fairchild半导体的专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
FQU5N60CTU 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQUNZ02 | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥266.6876 |
| FQUNX12 | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥13.61665 |
| FQUNX24 | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥45.13096 |
 | FQUNX08 | 泛达 (Panduit) | FIBER OPTIC CABLE OUTSIDE | ¥65.88451 |
| FQUNX02 | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥201.54506 |
| FQUNZ06 | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥20.37944 |
| FQUNZ24 | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥32.97824 |
| FQUNZ08 | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥26.26085 |
| FQUNX04 | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥27.42713 |
| FQU12N20TU-T | 安盛美 (onsemi) | IC | ¥57.82731 |
FQU5N60CTU所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQU5N60CTU 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQU5N60CTU价格参考￥1.700633，你可以下载 FQU5N60CTU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQU5N60CTU规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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