DI036N20PQ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 德欧泰克半导体 (Diotec)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 5000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 5000+ | 17.44307 | 87215.38000 |
- 库存: 5000
- 单价: ¥17.44308
-
数量:
- +
- 总计: ¥87,215.38
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 最大功耗 125W（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 145 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 36A (Tc)
- 制造厂商 德欧泰克半导体 (Diotec)
- 供应商设备包装 8-QFN (5x6)
- 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 28A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4270 pF @ 30 V
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| DI036N20PQ | 德欧泰克半导体 (Diotec) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.44308 |
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DI036N20PQ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DI036N20PQ 由 德欧泰克半导体 (Diotec) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DI036N20PQ价格参考￥17.443076，你可以下载 DI036N20PQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DI036N20PQ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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