9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPW50R350CP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPW50R350CP参考价格为1.13000美元。Infineon Technologies IPW50R350CP封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载IPW50R350CP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPW50R299CP是MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW50R199CPFKSA1 IPW50R399CPXK SP000301163，其提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为104 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为299mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IPW50R280CE是MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS CE，该器件提供280 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有32.6 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为92 W，零件别名为IPW50R280CEFKSA1 IPW50R180CEXK SP000850804，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为13 A，配置为单一。
IPW50R250CPFKSA1是MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作。包装如数据表中所示，用于管中，提供部件别名功能，如IPW50R150CP IPW50R2 50CPXK SP000301162，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型，该器件具有500 V的Vds漏极-源极击穿电压。
