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IPW65R190CFD是MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247，包括CoolMOS CFD2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW65R290CFDFKSA1 IPW65R190CFDXK SP000905376，其提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术是Si，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为151 W，下降时间为6.4 ns，上升时间为8.4 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为17.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，漏极-源极电阻Rds为190mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为68nC。
IPW65R190CFDA是MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了XPW65R190等系列功能，零件别名设计用于IPW65R190CFDAFKSA1 IPW65R1 90CFDAXK SP000928268以及管封装，该设备也可以用作1信道数信道。
IPW65R190CFD=65F6190，电路图由FEELING制造。IPW65R190CFD=65F6190采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
