9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FQP32N12V2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQP32N12V2参考价格为0.59000美元。其他FQP32N12V2封装/规格：MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3。您可以下载FQP32N12V2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FQP32N12V2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FQP30N06L是MOSFET N-CH 60V 32A TO-220，包括QFETR系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在FQP30N06L_NL中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.063493盎司，安装样式设计用于通孔，以及TO-220-3封装盒，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-220，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为79W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为1040pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为32A（Tc），最大Id Vgs的Rds为35mOhm@16A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@5V，Pd功耗为79W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为110纳秒，上升时间为210纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为32 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为27毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60纳秒，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为24S，信道模式为增强。
FQP30N06是MOSFET N-CH 60V 30A TO-220，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为85 ns，器件的漏极-源极电阻为40 mOhms，Pd功耗为79 W，零件别名为FQP30N06_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为30 A，正向跨导最小值为16 S，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQP30P10，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQP30P10采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
