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PMZB350UPE，315，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于3-XFDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于3-DFN1006B（0.6x1），以及MOSFET P沟道、金属氧化物FET型，该器件还可以用作360mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供127pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为1A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为450mOhm@300mA，4.5V，Vgs最大Id为950mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为1.9nC@4.5V。
PMZB390UNEYL带有用户指南，其中包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘、通道数等封装功能，设计为在1个通道中工作。
带有电路图的PMZB550UNEYL，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N通道，晶体管类型设计用于1个N通道。
PMZB600UNEYL带有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用卷筒封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供晶体管类型功能，如1个N通道，通道数设计为在1个通道中工作。
