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FQP9N30是MOSFET N-CH 300V 9A TO-220,包括管封装,它们设计为与FQP9N30_NL零件别名一起工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.063493盎司,提供安装类型功能,如通孔,封装外壳设计为在TO-220-3以及Si技术中工作,该设备也可以用作1通道数量的通道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管型,该器件具有98 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为48 ns,上升时间为120 ns,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为9 a,Vds漏极-源极击穿电压为300V,Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为27ns,典型接通延迟时间为16ns,正向跨导最小值为4.9S,沟道模式为增强型。
FQP9N25和FSC制造的用户指南。FQP9N25在T0-220封装中提供,是FET的一部分-单个。
FQP9N25C是FSC制造的N沟道250V 8.8A(Tc)74W(Tc)通孔TO-220-3。FQP9N25C在TO-220封装中提供,是IC芯片的一部分,支持N通道250V 8.8A(Tc)74W(Tc)通孔TO-220-3。