起订量: 365
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 317+ | 6.88075 | 2181.19933 |
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英飞凌100V OptiMOS™ 功率MOSFET为高效率、高功率密度SMPS提供了卓越的解决方案。与次优技术相比，该系列的RDS（打开）和FOM（品质因数）。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSF | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Contact Snap (Positive) 电芯尺寸: 9伏 包装: 散装 | ¥1.88315 |
 | BSF-HD | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Contact Snap (Positive) 电芯尺寸: 9伏 包装: 散装 | ¥1.88315 |
| BSF050N03LQ3G | 英飞凌 (Infineon) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.60744 |
| BSF885N03LQ3G | 英飞凌 (Infineon) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.82473 |
| BSF083N03LQG | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、53A（Tc） 最大功耗: 2.2W（Ta）、36W（Tc） 供应商设备包装: MG-WDSON-2，CanPAK M 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.82473 |
| BSF885N03LQ3GXUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.96959 |
| BSF134N10NJ3 G | 英飞凌 (Infineon) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.93918 |
| BSF110N06NT3GXUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.11445 |
 | BSF3-300ICV2L | 比亚迪 (BYD) | 暂无 | ¥133.42795 |
 | BSF2-300ICV6M | 比亚迪 (BYD) | 暂无 | ¥138.98745 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
