特色
- 非常快的切换
- 超低电压驱动（1.2V驱动）
- AEC-Q101合格
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- 无卤素
RUC002N05HZGT116
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SST3 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.59343 | 1.59343 |
| 10+ | 1.28199 | 12.81993 |
| 100+ | 0.68083 | 68.08330 |
| 500+ | 0.44819 | 224.09550 |
| 1000+ | 0.30478 | 304.78100 |
| 3000+ | 0.27486 | 824.60400 |
| 6000+ | 0.23901 | 1434.09600 |
- 库存: 12501
- 单价: ¥1.59344
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.59
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大功耗 350mW (Ta)
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安（Ta）
- 漏源电压标 (Vdss) 50 V
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.2伏、4.5伏
- 供应商设备包装 SST3
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25 pF@10 V
- 色彩/颜色 红色
RUC002N05HZGT116 产品详情
RUC002N05HZG是高可靠性汽车MOSFET，适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器。
RUC002N05HZGT116 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RUC0D271MLG | 尼吉康 (Nichicon) | 种类: 聚合物 电容: 270F 公差: ±20% 额定电压: 2伏 工作温度: -55摄氏度~105摄氏度 | ¥6.69042 |
 | RUC0D331MLG | 尼吉康 (Nichicon) | 种类: 聚合物 电容: 330F 公差: ±20% 额定电压: 2伏 工作温度: -55摄氏度~105摄氏度 | ¥8.53188 |
| RUC002N05HZGT116 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SST3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.59344 |
 | RUC002N05T116 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 200mW（Ta） 供应商设备包装: SST3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.19773 |
 | RUC-2012-26-1110-K | 奥泰 (Altech) | INDUSTRIAL RELAY DPDT 110VDC COI | ¥178.46506 |
| RUC-2012-26-5120-K | 奥泰 (Altech) | INDUSTRIAL RELAY DPDT 120VAC COI | ¥178.46506 |
 | RUC-L | 邦纳 (Banner) | MAXI-BEAM: REPLACEMENT LENSR | ¥108.6435 |
 | RUC-DSR | 邦纳 (Banner) | MAXI-BEAM: REPLACEMENT LENSR | ¥108.6435 |
| RUC-LJ | RUC-LJ MAXIBEAM UPPER COVER | ¥0.00 | |
| RUC-AG | MAXI-BEAM: REPLACEMENT LENS; REP | ¥0.00 |
RUC002N05HZGT116所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RUC002N05HZGT116 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RUC002N05HZGT116价格参考￥1.593438，你可以下载 RUC002N05HZGT116中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RUC002N05HZGT116规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
