特色
•极低导通电阻：170mΩ@VGS=4.5V
•高漏电流：1.1A
•适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和电池供电电路
•设计无铅/符合RoHS（注2）
•符合AEC-Q101高可靠性标准
•ESD保护门
•“绿色”设备（注3）
DMN100-7-F
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SC-59-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.49059 | 4.49059 |
| 10+ | 3.85322 | 38.53223 |
| 100+ | 2.87543 | 287.54310 |
| 500+ | 2.25949 | 1129.74750 |
| 1000+ | 1.74597 | 1745.97300 |
| 3000+ | 1.59191 | 4775.75100 |
| 6000+ | 1.48921 | 8935.27800 |
- 库存: 97703
- 单价: ¥4.49060
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.49
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 最大功耗 500mW (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 150 pF@10 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V
- 部件状态 过时的
- 供应商设备包装 SC-59-3
- 导通电阻 Rds(ON) 240毫欧姆@1A，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.1A（Ta）
- 长（英寸） seventeen
DMN100-7-F 产品详情
DMN100-7-F 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DMNF1-285-C | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米） 端接: 压接 | ¥4.86723 |
| DMNF1-488FIB-M | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥3.47659 |
| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.79576 |
 | DMN62D0LFB-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64831 |
 | DMN3029LFG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 | ¥1.20652 |
 | DMN3029LFG-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.20652 |
| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
DMN100-7-F所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN100-7-F 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN100-7-F价格参考￥4.490598，你可以下载 DMN100-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN100-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
