9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN1032UCB4-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN1032UCB4-7参考价格0.67000美元。Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7封装/规格：MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4。您可以下载DMN1032UCB4-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN1025UFDB-7带有引脚细节，包括DMN1025系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如U-DFN2020-6 B型，技术设计用于Si，以及2信道数信道，该设备也可以用作双配置。此外，晶体管类型为2 N沟道，器件提供1.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.8 ns，上升时间为9.3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-10 V，Id连续漏极电流为6.9 A 6.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为12V 12V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhms 25mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17.2ns，典型接通延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为12.6nC，沟道模式为增强。
带用户指南的DMN1029UFDB-13，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于U-DFN2020-6以及DMN1029系列，该设备也可用于29 mOhm@5A，4.5V Rds最大Id Vgs。此外，最大功率为1.4W，该器件采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该器件具有6-UDFN封装盒暴露垫，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为914pF@6V，栅极电荷Qg-Vgs为19.6nC@8V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为5.6A。
带有电路图的DMN1029UFDB-7，包括5.6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在19.6nC@8V下工作，以及914pF@6V输入电容Cis Vds，该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备具有6-UDFN封装盒暴露垫，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为1.4W，最大Id Vgs的Rds为29mOhm@5A，4.5V，系列为DMN1029，供应商设备封装为U-DFN2020-6，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vgs th最大Id为1V@250μA。
