该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。
特色
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 低输入/输出泄漏
- ESD保护门
应用
- 电机控制
- 电源管理功能
- 背光
DMN63D8L-7
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.88315 | 1.88315 |
| 10+ | 1.53549 | 15.35495 |
| 100+ | 0.81265 | 81.26530 |
| 500+ | 0.53481 | 267.40800 |
| 1000+ | 0.36366 | 363.66600 |
| 3000+ | 0.32803 | 984.09300 |
| 6000+ | 0.28522 | 1711.35000 |
- 库存: 43237
- 单价: ¥1.88315
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.88
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 最大功耗 350mW (Ta)
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、10伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 350毫安 (Ta)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 23.2 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 2.8欧姆@250毫安，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.9 nC@10 V
- 色彩/颜色 -
DMN63D8L-7 产品详情
DMN63D8L-7 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DMNF1-285-C | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米） 端接: 压接 | ¥4.86723 |
| DMNF1-488FIB-M | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥3.47659 |
| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.79576 |
 | DMN62D0LFB-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64831 |
 | DMN3029LFG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 | ¥1.20652 |
 | DMN3029LFG-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.20652 |
| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
DMN63D8L-7所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN63D8L-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN63D8L-7价格参考￥1.883154，你可以下载 DMN63D8L-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN63D8L-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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