SIHA25N50E-E3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 24.26371 | 24.26371 |
10+ | 21.80837 | 218.08372 |
100+ | 17.86678 | 1786.67860 |
500+ | 15.20936 | 7604.68300 |
1000+ | 13.74340 | 13743.40300 |
- 库存: 698
- 单价: ¥24.26372
-
数量:
- +
- 总计: ¥24.26
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 26A(Tc)
- 最大功耗 35W (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 86 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 TO-220 Full Pack
- 导通电阻 Rds(ON) 145毫欧姆@12A,10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1980 pF @ 100 V
- 色彩/颜色 -
SIHA25N50E-E3 产品详情
Vishay Siliconix®在其标准to xxx系列中添加了一个新的封装,即Thin Lead to-220 FULLPAK。该封装将使用我们最新的E系列超结MOSFET产品系列。标准TO-220 FULLPAK和薄导线TO-220 FULLPAK之间的区别在于导线的宽度和厚度。Thin Lead TO-220 FULLPAK引线已缩小。由于引线的尺寸减小,它们可以完全插入到焊接孔中,然后封装的主体接触PCB,从而将组装的PCB板高度减小约2.4mm。
SIHA25N50E-E3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SIHA25N50E-E3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIHA25N50E-E3价格参考¥24.263715,你可以下载 SIHA25N50E-E3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIHA25N50E-E3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...