描述
该N沟道增强型功率MOSFET使用Fairchild半导体的专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
特征
•7.8 A，200 V，RDS（开启）=360 mΩ （最大）@VGS=10 V，
ID=3.9 A
•低栅极电荷（典型值20 nC）
•低铬（典型值40.5 pF）
•100%雪崩测试
特色
- 7.8A，200V，RDS（开启）=360mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=3.9A
- 低栅极电荷（典型值20nC）
- 低铬（典型值40.5pF）
- 100%雪崩测试
应用
- LED电视
- CRT/RPTV
- 其他工业
