9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SCH1435-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SCH1435-TL-H参考价格为0.12000美元。onsemi SCH1435-TL-H封装/规格：小信号N沟道MOSFET。您可以下载SCH1435-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SCH1433-TL-W带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.000289 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOT-563-6等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供800 mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为28 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-10 V，Id连续漏极电流为3.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为400mV，Rds漏极-源极电阻为149mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为6.2ns，Qg栅极电荷为2.8nC，正向跨导Min为1.68S，沟道模式为增强。
SCH1433-TL-H是MOSFET功率MOSFET，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作SCH1433系列。此外，Rds On Drain Source电阻为49 mOhms，该器件提供800 mW Pd功耗，该器件具有一个卷式封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为3.5 a，配置为单一。
SCH1433-S-TL-H是MOSFET N-CH 20V 3.5A SCH6，包括3.5A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式。数据表注释中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供SOT-563-6等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及800 mW Pd功耗，该器件也可以用作64毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，该系列为SCH1433-S-TL-H，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.000289盎司，Vds漏极-源极击穿电压为20 V。
