9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN65D8LFB-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN65D8LFB-7参考价格为0.36000美元。Diodes Incorporated DMN65D8LFB-7封装/规格：MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN。您可以下载DMN65D8LFB-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN65D8LDW-7是MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363，包括DMN63系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-363，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为300mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为22pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为180mA，最大Id Vgs上的Rds为6 Ohm@115mA，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.87nC@10V，Id连续漏极电流为180 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为8欧姆，晶体管极性为N沟道。
DMN65D8L-7是MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如2.7纳秒，典型的关闭延迟时间设计为12.6纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMN63系列，该器件的上升时间为2.8 ns，漏极-源极电阻Rds为4欧姆，Qg栅极电荷为0.87 nC，Pd功耗为370 mW，封装为卷轴式，封装盒为SOT-23-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为310 mA，下降时间为7.3 n，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN65D8LDWQ-13，包括2个通道数量的通道，它们设计为与卷筒包装一起工作，系列如数据表注释所示，用于DMN65D，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及2个N通道晶体管类型中工作。
DMN65D8LDWQ-7具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用卷筒封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供DMN65D等系列功能，晶体管类型设计为在2 N通道以及2通道数量的通道中工作。
