ON Semiconductors系列P沟道MOSFET采用ON Semicon专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻,从而为快速切换提供坚固可靠的性能。
特点和优点:•电压控制P通道小信号开关
•高密度电池设计
•高饱和电流
•高级切换
•坚固可靠的性能
•DMOS技术
•负载切换
•DC/DC转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制
特色
- -25 V,-0.46 A连续,-1.5 A峰值。 RDS(ON)=1.1Ω@VGS=-4.5 V, RDS(开)=1.5Ω@VGS=-2.7 V
- 极低水平的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接操作。VGS(th)<1.5V。
- 栅极-源极齐纳,用于ESD加固。>6kV人体模型。
- 紧凑型行业标准SOT-23表面安装封装。
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。