这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET，使用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发，这是对成熟的PowerMESH的优化。除了导通电阻的显著降低外，这些器件的设计确保了高水平的dv/dt能力，以满足最苛刻的应用。
特色
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 网关费用最小化
- Verylowintrinsic电容
- 齐纳保护
STD3NK50Z-1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.35974 | 5.35974 |
| 10+ | 4.71512 | 47.15128 |
| 100+ | 3.61565 | 361.56560 |
| 500+ | 2.85804 | 1429.02400 |
| 1000+ | 2.28643 | 2286.43900 |
| 2000+ | 2.07212 | 4144.24200 |
- 库存: 5764
- 单价: ¥4.85274
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.36
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大功耗 45W (Tc)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC@10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 50A
- 供应商设备包装 I-PAK
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 280 pF@25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.3A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 1.15A、10V时为3.3欧姆
STD3NK50Z-1 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| STD3055L104T4G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3 | ¥169.87498 |
 | STD110N02RT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
 | STDLED627 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥56.69742 |
 | STD20NF06L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.66974 |
| STDP9320-BB | 意法半导体 (STMicroelectronics) | ¥218.39009 |
STD3NK50Z-1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD3NK50Z-1 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD3NK50Z-1价格参考￥4.852743，你可以下载 STD3NK50Z-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD3NK50Z-1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
