9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN62D0LFD-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN62D0LFD-7参考价格为0.39000美元。Diodes Incorporated DMN62D0LFD-7封装/规格：MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN。您可以下载DMN62D0LFD-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN61D9UDW-13，带有引脚细节，包括DMN61D9 U系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为SOT-363，该设备为2 N沟道（双）FET型，该设备的最大功率为320mW，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为28.5pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为350mA，最大Rds Id Vgs为2 Ohm@50mA，5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.4nC@4.5V，晶体管极性为N沟道。
带有用户指南的DMN61D9UDW-7，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于SOT-363以及DMN61D9 U系列，该设备也可用于2 Ohm@50mA，最大Id Vgs上的5V Rds。此外，最大功率为320mW，该器件采用Digi-ReelR交替封装，该器件具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为28.5pF@30V，栅极电荷Qg-Vgs为0.4nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为350mA。
带有电路图的DMN61D9U-7，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷筒包装一起工作，系列如数据表注释所示，用于DMN61D9 U，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
DMN61D9UW-13具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用卷筒封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供DMN61D9 U等系列功能，晶体管类型设计为在1 N通道以及1通道数的通道中工作。
