特色
- 导通电阻低。
- 内置G-S保护二极管。
- 小型表面安装封装（TSMT6）。
- 无铅铅镀层；符合RoHS。
RQ6E035SPTR
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.07003 | 5.07003 |
| 10+ | 4.33125 | 43.31254 |
| 100+ | 3.23467 | 323.46790 |
| 500+ | 2.54153 | 1270.76700 |
| 1000+ | 1.96391 | 1963.91200 |
| 3000+ | 1.79066 | 5371.98600 |
| 6000+ | 1.67513 | 10050.82800 |
- 库存: 178
- 单价: ¥5.07003
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.07
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A（Ta）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 最大功耗 950毫瓦（Ta）
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 780 pF @ 10 V
- 供应商设备包装 TSMT6（SC-95）
- 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 3.5A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.2 nC @ 5 V
- 色彩/颜色 -
RQ6E035SPTR 产品详情
RQ6E035SP是低导通电阻MOSFET，内置G-S保护二极管，用于开关应用。
RQ6E035SPTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| RQ6E035SPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 |
 | RQ6E030ATTCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） | ¥0.29624 |
 | RQ6E040XNTCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | RQ6E035TNTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | RQ6E030SPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | RQ6E050AJTCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.70789 |
 | RQ6G050ATTCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 |
 | RQ6C050UNTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
 | RQ6P015SPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.21489 |
 | RQ6E050ATTCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.62724 |
RQ6E035SPTR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RQ6E035SPTR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RQ6E035SPTR价格参考￥5.070030，你可以下载 RQ6E035SPTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RQ6E035SPTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
