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RYC002N05T316

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Tc) 供应商设备包装: SST3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.21946 0.21946
  • 库存: 2109
  • 单价: ¥0.21946
  • 数量:
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  • 总计: ¥0.22
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安(Ta)
  • 漏源电压标 (Vdss) 50 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5伏
  • 供应商设备包装 SST3
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.2欧姆@200毫安,4.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 800mV @ 1毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 26 pF@10 V
  • 最大功耗 350mW (Tc)
  • 色彩/颜色 -

RYC002N05T316 产品详情

N沟道MOSFET晶体管

特色

  • 低压(0.9V)驱动型
  • Nch小信号MOSFET
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS


RYC002N05T316所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RYC002N05T316 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RYC002N05T316价格参考¥0.219460,你可以下载 RYC002N05T316中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RYC002N05T316规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

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