新一代100V N沟道增强型MOSFET的设计旨在最大限度地减少RDS（开启），同时保持优异的开关性能。该设备非常适合DC/DC电源管理和主板/服务器应用
DMN10H170SK3Q-13
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.21488 | 5.21488 |
| 10+ | 4.58475 | 45.84756 |
| 100+ | 3.51353 | 351.35310 |
| 500+ | 2.77736 | 1388.68100 |
| 1000+ | 2.22190 | 2221.90400 |
| 2500+ | 2.01359 | 5033.99750 |
| 5000+ | 1.89365 | 9468.28000 |
- 库存: 2232
- 单价: ¥5.21489
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.21
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 供应商设备包装 TO-252-3
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 140毫欧姆@5A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.7 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1167 pF@25 V
- 最大功耗 42W (Tc)
- 色彩/颜色 -
DMN10H170SK3Q-13 产品详情
DMN10H170SK3Q-13 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DMNF1-285-C | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米） 端接: 压接 | ¥4.86723 |
| DMNF1-488FIB-M | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥3.47659 |
| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.79576 |
 | DMN62D0LFB-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64831 |
 | DMN3029LFG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 | ¥1.20652 |
 | DMN3029LFG-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.20652 |
| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
DMN10H170SK3Q-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN10H170SK3Q-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN10H170SK3Q-13价格参考￥5.214888，你可以下载 DMN10H170SK3Q-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN10H170SK3Q-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
