DMN31D5UFZ-7B

Name: DMN31D5UFZ-7B
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7130331-DMN31D5UFZ-7B
Price: 1.070501 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安（Ta）最大功耗: 393mW (Ta) 供应商设备包装: X2-DFN0606-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
漏源电流 (Id) @ 温度 220毫安（Ta）
导通电阻 Rds(ON) 100毫安时1.5欧姆，4.5伏
包装/外壳 3-XFDFN
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.2伏、4.5伏
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.35 nC@4.5 V
供应商设备包装 X2-DFN0606-3
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 22.2 pF@15 V
最大功耗 393mW (Ta)
色彩/颜色 -

DMN31D5UFZ-7B 产品详情

二极管股份有限公司DMxx微型增强模式MOSFET设计用于最小化通态电阻（RDS（on））。它们保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。DMN31D5UFZ-7B和DMN2990UFZ是N沟道增强型MOSFET，DMP32D9UFZ是P沟道增强模式MOSFET。

DMN31D5UFZ-7B 相关器件

型号	制造商	描述	价格
DMNF1-285-C	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 母接头线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米）端接: 压接	¥4.86723
DMNF1-488FIB-M	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 母接头线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米）端接: 压接	¥3.47659
DMNF6-63M-L	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 公接头线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米）端接: 压接	¥2.79576
DMN62D0LFB-7B	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta）供应商设备包装: X1-DFN1006-3	¥0.64831
DMN3029LFG-13	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8	¥1.20652
DMN3029LFG-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta）供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥1.20652
DMN6140L	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.7471
DMN2041L	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.50199
DMN6068SE-13-VB		类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A	¥3.32099
DMN2004WK	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.29688

DMN31D5UFZ-7B所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN31D5UFZ-7B 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN31D5UFZ-7B价格参考￥1.070501，你可以下载 DMN31D5UFZ-7B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN31D5UFZ-7B规格参数、现货库存、封装信息等信息！