9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2990UFZ-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2990UFZ-7B参考价格为0.53000美元。Diodes Incorporated DMN2990UFZ-7B封装/规格：MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN。您可以下载DMN2990UFZ-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN2990UFA-7B是MOSFET N-CH 20V 0.51A，包括DMN2990系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-XFDFN，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在3-X2-DFN0806供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道、金属氧化物，最大功率为400mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为27.6pF@16V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为510mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为990mOhm@100mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.5nC@4.5V，Pd功耗为400mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.4 ns，上升时间为3.3 ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为510mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为990mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型导通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为0.5nC，并且前向跨导Min为180mS，并且信道模式为增强。
DMN2990UDJ-7是MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963，包括1V@250μA Vgs和最大Id，它们设计用于SOT-9633供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于990 mOhm@100mA，4.5V，提供功率最大特性，如350mW，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及SOT-9630封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供27.6pF@16V输入电容Cis Vds，该器件具有0.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为450mA。
DMN26D0VT-7-F，电路图由DIODES制造。DMN26D0VT-7-F采用SOT523封装，是IC芯片的一部分。
