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FQD4N20TM

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、30W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.43217 5.43217
10+ 4.80928 48.09286
100+ 3.68880 368.88090
500+ 2.91599 1457.99600
1000+ 2.33279 2332.79300
2500+ 2.30939 5773.49750
  • 库存: 9108
  • 单价: ¥5.43218
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.43
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 部件状态 上次购买
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 220 pF@25 V
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、30W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@1.5A,10V
  • 色彩/颜色 -

FQD4N20TM 产品详情

该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻,并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

特色

  • 3.0A,200V,RDS(开启)=1.4Ω(最大值)@VGS=10 V,ID=1.5A
  • 低栅极电荷(典型值5.0nC)
  • 低铬(典型值5.0pF)
  • 100%雪崩测试

应用

  • LED电视
FQD4N20TM所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQD4N20TM 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQD4N20TM价格参考¥5.432175,你可以下载 FQD4N20TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQD4N20TM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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