| NTD4302-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | ¥1.59344 |
| NTD2955-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | ¥1.01401 |
| NTD60N02R-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 24V 62A IPAK | ¥0.86915 |
| NTD20N06L | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN LL 20A 60V DPAK | ¥3.11445 |
| NTD4404N1G | 安盛美 (onsemi) | POWER MOSFET, 85 A, 24 V, N-CHAN | ¥2.96959 |
| NTD2955-1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 55W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.37375 |
| NTD50N03RT4 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥0.72429 |
| NTD4808N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta)、63A(Tc) 最大功耗: 1.4W(Ta),54.6W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥0.72429 |
| NTD4970N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 1.38W(Ta),24.6W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.46259 |
| NTDV20N06T4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 1.88W(Ta),60W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.25931 |