9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SCH1331-TL-W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SCH1331-TL-W参考价格为0.11000美元。onsemi SCH1331-TL-W封装/规格：功率MOSFET。您可以下载SCH1331-TL-W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SCH1330-TL-W是MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIE，包括卷轴封装，它们设计为以0.000289盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如SOT-563-6，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该器件也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为14 ns，上升时间为9.7 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-10 V，Id连续漏极电流为-1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为-1.4V，Rds漏极-源极电阻为615mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型关通延迟时间为5.3ns，Qg栅极电荷为1.7nC，正向跨导Min为1.14S，沟道模式为增强。
SCH1331-S-TL-H是MOSFET P-CH 12V 3A SCH6，包括-12 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.000289盎司单位重量下工作。数据表说明中显示了用于1个P沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计用于Si，以及SCH1331-ST-H系列，该器件也可以用作84毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1W，该器件采用卷筒包装，该器件具有SOT-563-6封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为-3A。
SCH1331-TL-H是MOSFET P-CH 12V 3A SCH6，包括-3A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供封装外壳功能，如SCH-6，封装设计用于卷筒，以及84 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作SCH1331系列。此外，该技术为Si，该器件提供P沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型P沟道，Vds漏极-源极击穿电压为-12V。
