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IPN60R2K1CEATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: PG-SOT223-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.67625 2.67625
  • 库存: 23
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    - +
  • 总计: ¥2.68
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 超级结
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@60A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.7A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 140 pF@100 V
  • 最大功耗 5W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.1欧姆@800毫安,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 PG-SOT223-3
  • 色彩/颜色 -

IPN60R2K1CEATMA1 产品详情

IPN60R2K1CEATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPN60R2K1CEATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPN60R2K1CEATMA1价格参考¥2.676252,你可以下载 IPN60R2K1CEATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPN60R2K1CEATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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