特色
- 6.6A，200V，RDS（开）=0.69Ω@VGS=10v
- 低栅极电荷（典型8.0nC）
- 低铬（典型值9.0pF）
- 快速切换
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
应用
- DC/DC转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源用DC-AC转换器
- 电机控制
FQP7N20
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10.42977 | 10.42977 |
| 10+ | 9.29264 | 92.92641 |
| 100+ | 7.24579 | 724.57970 |
| 500+ | 5.98538 | 2992.69400 |
| 1000+ | 5.01172 | 5011.72500 |
- 库存: 17167
- 单价: ¥10.42978
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.43
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 400 pF @ 25 V
- 最大功耗 63W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6.6A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 690毫欧姆 @ 3.3A, 10V
- 色彩/颜色 黑色
FQP7N20 产品详情
这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用ON的专有平面条纹DMOS技术生产。该器件非常适合于高效率开关DC/DC转换器、开关模式电源、用于无故障电源和电机控制的DC-AC转换器
FQP7N20 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQP572VVF075N | 泛达 (Panduit) | PATCHCORD FIBER OPTIC | ¥723.8739 |
| FQPF6N50C | 3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥4.78031 | |
| FQP3N50CTF | 21A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥2.67987 | |
| FQPF9N25CRDTU | 8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥3.40416 | |
 | FQP22N30 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.53943 |
 | FQP27P06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.78952 |
 | FQPF47P06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.17728 |
 | FQPF7N80C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.08936 |
 | FQPF4N90C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.54411 |
 | FQPF8N80CYDTU | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 59W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.02082 |
FQP7N20所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQP7N20 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQP7N20价格参考￥10.429776，你可以下载 FQP7N20中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQP7N20规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
