NTP067N65S3H
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 266W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 51.71430 | 51.71430 |
10+ | 46.70946 | 467.09462 |
100+ | 38.67346 | 3867.34650 |
500+ | 34.56485 | 17282.42850 |
- 库存: 6261
- 单价: ¥45.05084
-
数量:
- +
- 总计: ¥51.71
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 80 nC @ 10 V
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 67毫欧姆 @ 20A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 3.9毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3750 pF @ 400 V
- 最大功耗 266W(Tc)
- 色彩/颜色 -
NTP067N65S3H所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTP067N65S3H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTP067N65S3H价格参考¥45.050838,你可以下载 NTP067N65S3H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTP067N65S3H规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...