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FDH210N08

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 210A(Tc) 最大功耗: 462W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 49.39657 49.39657
10+ 44.36276 443.62763
100+ 36.34487 3634.48720
500+ 30.93978 15469.89300
1000+ 29.65207 29652.07000
  • 库存: 631
  • 单价: ¥49.39658
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥49.40
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 75 V
  • 包装/外壳 至247-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 最大功耗 462W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 210A(Tc)

FDH210N08 产品详情

UniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET家族。该MOSFET被定制以降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该设备系列适用于开关功率转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视功率、ATX和电子镇流器。

特色

  • RDS(开)=4.65 mΩ(典型值)@VGS=10 V,ID=125 A
  • 低栅极电荷(典型232 nC)
  • 低铬(典型值262 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 改进的dv/dt能力
FDH210N08所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDH210N08 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDH210N08价格参考¥49.396578,你可以下载 FDH210N08中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDH210N08规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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