特色
- RDS(开)=4.65 mΩ(典型值)@VGS=10 V,ID=125 A
- 低栅极电荷(典型232 nC)
- 低铬(典型值262 pF)
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 49.39657 | 49.39657 |
10+ | 44.36276 | 443.62763 |
100+ | 36.34487 | 3634.48720 |
500+ | 30.93978 | 15469.89300 |
1000+ | 29.65207 | 29652.07000 |
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