9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHP8N50D-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHP8N50D-GE3参考价格为1.47000美元。Vishay Siliconix SIHP8N50D-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB。您可以下载SIHP8N50D-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHP25N50E-GE3带有引脚细节，包括E系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于E系列，以及to-220-3包装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为250 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为26A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为145mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为57ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为57nC。
带有用户指南的SIHP25N40D-E3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了E等系列功能，包装设计为在卷轴中工作，以及1个通道数。
SIHP28N65EF-GE3，带有电路图，包括管包装。
SIHP5N50D，带有VISHIA制造的EDA/CAD模型。SIHP5N50D提供TO-220封装，是FET的一部分-单个。
