9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTP6413ANG，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTP6413ANG价格参考1.04000美元。onsemi NTP6413ANG封装/规格：功率MOSFET 100V 42A，单N型。您可以下载NTP6413ANG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTP6410ANG是MOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH，包括NTP6410AN系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有188 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为190 ns，上升时间为170 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为76 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导Min为40S。
NTP6412ANG是MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作NTP6412AN系列。此外，Rds漏极-源极电阻为18.2毫欧，该器件提供167 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+175 C，并且Id连续漏极电流为58A，并且配置为单。
NTP6411ANG是ON公司制造的MOSFET N-CH 100V 72A TO-220AB。NTP6411NG采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH100V 72A-TO-220AA、N沟道100V 77A（Tc）217W（Tc）通孔TO-220AB、Trans-MOSFET N-CH 100 V 77A 3引脚（3+Tab）TO-220AC管。
