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IMZ120R220M1HXKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-4-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 75.32616 75.32616
10+ 68.07601 680.76017
100+ 56.36352 5636.35240
500+ 52.77466 26387.33350
  • 库存: 435
  • 单价: ¥75.32616
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥75.33
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 最大功耗 75W (Tc)
  • 包装/外壳 至247-4
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 13A(Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏、18伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +23伏、-7伏
  • 供应商设备包装 PG-TO247-4-1
  • 导通电阻 Rds(ON) 220毫欧姆@4A,18V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.7V @ 1.6毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.5 nC @ 18 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 289 pF@800 V
  • 色彩/颜色 -

IMZ120R220M1HXKSA1 产品详情

IMZ120R220M1HXKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IMZ120R220M1HXKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IMZ120R220M1HXKSA1价格参考¥75.326160,你可以下载 IMZ120R220M1HXKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IMZ120R220M1HXKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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