特色
- 低RDS（打开）
- 低传导损耗
- 高电流能力
- 适用于高功率应用
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- 电机控制
- 蓄电池保护
- 负载开关
- 底盘模块
NTP5860NG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A（Tc） 最大功耗: 283W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 135
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 135+ | 16.22409 | 2190.25296 |
- 库存: 8566
- 单价: ¥16.22410
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,190.25
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 180 nC@10 V
- 供应商设备包装 TO-220
- 导通电阻 Rds(ON) 3毫欧姆 @ 75A, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 220A（Tc）
- 最大功耗 283W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10760 pF @ 25 V
- 色彩/颜色 蓝色
NTP5860NG 产品详情
N沟道功率MOSFET60 V，220 A，3.0 mΩ
NTP5860NG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTP35N15 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN 37A 150V TO-220AB | ¥5.14246 |
 | NTP125N02R | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR N-CH 125A 24V TO220AB | ¥2.39016 |
 | NTPS-24-TT-500 | 红狮 (Red Lion) | 24VDC 0.6 AMP TT PS | ¥954.78805 |
| NTPS-24-TT-600 | 红狮 (Red Lion) | 24VDC 1.04 AMP TT PS | ¥623.41089 |
| NTPS-24-TT-700 | 红狮 (Red Lion) | 24VDC 0.6 AMP TT PS | ¥1,302.34585 |
| NTPS-24-TT-XXX | 红狮 (Red Lion) | 24VDC 1.3 AMP TT PS | ¥1,687.61019 |
| NTPS-24-WA-700 | 红狮 (Red Lion) | 24VDC 0.8 AMP WA PS | ¥2,519.41379 |
| NTPS-24-WA-XXX | 红狮 (Red Lion) | 24VDC 0.6 AMP WA PS | ¥698.20107 |
| NTPS-24-TT-100 | 红狮 (Red Lion) | AC/DC ADAPTER 24VDC 0.6A | ¥254.64588 |
| NTPS-24-TT-300 | 红狮 (Red Lion) | AC/DC ADAPTER 24VDC 0.6A | ¥164.68906 |
NTP5860NG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTP5860NG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTP5860NG价格参考￥16.224096，你可以下载 NTP5860NG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTP5860NG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
