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IGW40N60TP

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起订量: 261

数量 单价 合计
1+ 64.26527 64.26527
200+ 24.87586 4975.17260
500+ 23.99307 11996.53500
1000+ 23.56218 23562.18200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥64.26527
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6,492.60
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 技术 -
  • 场效应管类型 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 色彩/颜色 -

IGW40N60TP 产品详情

高速600 V,40 A单TRENCHSTOP™ TO247封装中的IGBT3提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷。该系列的关键特征是类似MOSFET的关断开关行为,导致低关断损耗。

特色

  • 低开关损耗,实现高效率
  • 卓越的VCE(sat)性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
  • 具有低EMI发射的快速开关行为
  • 针对目标应用的优化二极管,意味着开关损耗的进一步改善
  • 可以选择低栅极电阻(低至5Ω),同时保持良好的开关性能
  • 短路能力5µs
  • 提供175°C的Tj(最大值)
  • 带和不带续流二极管的封装,增加了设计自由度
  • 低开关和传导损耗
  • EMI性能非常好
  • 可与小栅极电阻器一起使用,以减少延迟时间和电压过冲
  • 高电流密度
  • 一流的600 V IGBT效率和EMI性能

应用

潜在应用

         
IGW40N60TP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IGW40N60TP 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IGW40N60TP价格参考¥64.265274,你可以下载 IGW40N60TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IGW40N60TP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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