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XPW6R30ANB,L1XHQ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta) 最大功耗: 960mW(Ta),132W(Tc) 供应商设备包装: 8-DSOP Advance 工作温度: 175摄氏度
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.06523 15.06523
10+ 13.51525 135.15251
100+ 10.86072 1086.07290
500+ 8.92325 4461.62650
1000+ 7.39355 7393.55200
2000+ 6.95318 13906.36800
5000+ 6.95318 34765.92000
  • 库存: 3174
  • 单价: ¥15.06523
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.07
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 工作温度 175摄氏度
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 52 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 8-DSOP Advance
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 45A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.3毫欧姆 @ 22.5A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@500A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3240 pF @ 10 V
  • 最大功耗 960mW(Ta),132W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

XPW6R30ANB,L1XHQ 产品详情

XPW6R30ANB,L1XHQ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),XPW6R30ANB,L1XHQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。XPW6R30ANB,L1XHQ价格参考¥15.065232,你可以下载 XPW6R30ANB,L1XHQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询XPW6R30ANB,L1XHQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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